Tranzistor: юрамалар арасында аерма
AlleborgoBot (бәхәс | кертем) к Боттың түзеткені: hi:ट्रांज़िस्टर |
к Боттың үстегені: gl:Transistor |
||
Юл номеры - 63: | Юл номеры - 63: | ||
[[fr:Transistor]] |
[[fr:Transistor]] |
||
[[fur:Transistôr]] |
[[fur:Transistôr]] |
||
[[gl:Transistor]] |
|||
[[he:טרנזיסטור]] |
[[he:טרנזיסטור]] |
||
[[hi:ट्रांज़िस्टर]] |
[[hi:ट्रांज़िस्टर]] |
13 апр 2008, 18:14 юрамасы
Tranzistor (İnglizçä transistor, to transfer – küçerü, häm resistor – rezistor) ul öçelektrodlı yarımütkärgeç qorılması, signal köçäytü, törle yışlıqlı elektr tirbänüe tudıru häm üzgärtü öçen kiräk äyber.
Taríx
1947. yılda John Bardeen, Walter Brattain häm William Shockley tarafınnan uylap tabılğan.
Tözeleş
İñ küpläp citeştergän tranzistor germani, kremni yäisä başqa yarımütkärgeçtän yasalğan, 2×2 mm zurlıq plastinka (nigez). Tranzistor yarımütkärgeç elektronnar ütkärüçänlekle (n-típ) yä tişeklär ütkärüçänlekle (p-típ) bula. Plastinka külämenä ike nigezgä qarşı ütkärüçänlekle ölkä urnaşqan. Yarımütkärgeç nigeze şundí ölkälär belän ike p-n küçü oyıştıra. Bu küçülär sífatı yarımütkärgeç diodına oxşaş. Ägär nigez n-típlı, ä ölkälär p-típlı, tranzistor p-n-p strukturalı bula. Kiresençä, nigez p bulsa, ölkälär n bulsalar, tranzistor n-p-n bula.
Tranzistor tözeleşe qaramíça, ngez plastinkasın baza B atílar, kimräk ölkäne – emitter E (İnglizçä emit - nurlandıru), zurraq ölkä – kollektor C (İnglizçä collect – cíu). Baza belän kolektor arasındağı elektron-tişekle küçüne kollektor küçüe, emitter belän baza arasındağı küçüne emitter küçüe atílar.
Sxemalarda grafik sürätläre şundí: p-n-p tranzitorda uq emittordan bazağa, n-p-n tranzistorda bazadan emittorğa yünältelgän.
Model
Tranzistornıñ iñ berençe modele - tok köçäytkeçe modele. Bu model tranzistordağı fizik prosessların añlatmí, ul sxemotexnika öçen kiñ qullanıla. Tübänge yazıp birü n-p-n típlı tranzistor öçen birelgän. P-n-p tranzistor öçen anı kiresençä qullanırğa kiräk.
- Kollektor potensialı emitter potensialdan uñayraq (pozitivräk)
- Baza-emitter belän baza-kollektor tezmäläre diodlar kebek eşlilär.
- Här tranzistorda üz maksimal IK, IB, UKE bar. Bu zurlıqlardan artıruı tranzistornı beterä. Maksimal yegärlege (IKE, UKE), temeperertura, UBE-nı onıtıp ta bulbí.
- Ägär 1-3. qäğidälär eşlilär, IK IB-tän turı proporsional zurlıq:
h21E - ul h-parameterlärdän berse, tok köçäyätü koeffesiente. Anıñ zurlığı 100-gä yaqın. IE belän IK emittergä ağalar (NB! Tupaslandırğan sxemada tranzistor ike diod kebek sürätlängän, şul säbäple bu sxema buyınça IK kollektordan bazağa ağa almí. Läkin bu sxema tupaslandırğan, häm tok ağa, çönki real tranzistorda başqa prosesslar eşlilär).
Qullanış
Tranzistorlar keçe amplitudalı kerü signalın zurraq amlitudalı çığu signalina äyländerälär. Şundí eşneñ iñ ğädi mísalı: tirbänülär köçäytkeçe.
Klassifikasiä
p-n-p belän n-p-n tranzistorlar bipolár (Latínça bis - ike),çönki alarnıñ eşendä ike törle tok taratuçı – tişek häm elektron. Alardan tış unipolár (Latınça unus - ber) tranzistorlar qullanalar. Alarda tik elektronnar yä tik tişeklär eşlilär. Unipolar tranzistorlarnıñ qarşılığı alıp baruçı elektrod potensialı belän yörtelä. Unipolar tranzistorlar köçäytmilär, alar elektr açqıç role uynílar. Tranzistrolar fototranzistorlarğa, ikebazalı diodlarğa häm başqalarğa bülänälär.
Ädäbiät
- Yäş Texnikneñ Ensiklopädik Süzlege, Mäskäw, 1980
- Horowitz, Hill. Sxemotexnika nigezläre, Mäskäw, 1998