Tranzistor

Wikipedia — ирекле энциклопедия проектыннан
Моңа күчү: навигация, эзләү

Tranzistor (İnglizçä transistor, to transfer – küçerü, häm resistor – rezistor) ul öçelektrodlı yarımütkärgeç qorılması, signal köçäytü, törle yışlıqlı elektr tirbänüe tudıru häm üzgärtü öçen kiräk äyber.

Törle tranzistorlar häm alarnıñ zurlığı

Taríx[үзгәртү]

1947. yılda John Bardeen, Walter Brattain häm William Shockley tarafınnan uylap tabılğan.

Tözeleş[үзгәртү]

İñ küpläp citeştergän tranzistor germani, kremni yäisä başqa yarımütkärgeçtän yasalğan, 2×2 mm zurlıq plastinka (nigez). Tranzistor yarımütkärgeç elektronnar ütkärüçänlekle (n-típ) yä tişeklär ütkärüçänlekle (p-típ) bula. Plastinka külämenä ike nigezgä qarşı ütkärüçänlekle ölkä urnaşqan. Yarımütkärgeç nigeze şundí ölkälär belän ike p-n küçü oyıştıra. Bu küçülär sífatı yarımütkärgeç diodına oxşaş. Ägär nigez n-típlı, ä ölkälär p-típlı, tranzistor p-n-p strukturalı bula. Kiresençä, nigez p bulsa, ölkälär n bulsalar, tranzistor n-p-n bula.

Tranzistor tözeleşe qaramíça, ngez plastinkasın baza B atílar, kimräk ölkäne – emitter E (İnglizçä emit - nurlandıru), zurraq ölkä – kollektor C (İnglizçä collect – cíu). Baza belän kolektor arasındağı elektron-tişekle küçüne kollektor küçüe, emitter belän baza arasındağı küçüne emitter küçüe atílar.

Sxemalarda grafik sürätläre şundí: p-n-p tranzitorda uq emittordan bazağa, n-p-n tranzistorda bazadan emittorğa yünältelgän.

BJT symbol PNP.svg PNP JFET symbol P.png P-kanal
BJT symbol NPN.svg NPN JFET symbol N.png N-kanal
BJT JFET
Tranzistorlar sxematik sürätläre

Model[үзгәртү]

Tranzistornıñ iñ berençe modele - tok köçäytkeçe modele. Bu model tranzistordağı fizik prosessların añlatmí, ul sxemotexnika öçen kiñ qullanıla. Tübänge yazıp birü n-p-n típlı tranzistor öçen birelgän. P-n-p tranzistor öçen anı kiresençä qullanırğa kiräk.

  1. Kollektor potensialı emitter potensialdan uñayraq (pozitivräk)
  2. Baza-emitter belän baza-kollektor tezmäläre diodlar kebek eşlilär.
    Tranzistornıñ tupaslandırğan sxema
  3. Här tranzistorda üz maksimal IK, IB, UKE bar. Bu zurlıqlardan artıruı tranzistornı beterä. Maksimal yegärlege (IKE, UKE), temeperertura, UBE-nı onıtıp ta bulbí.
  4. Ägär 1-3. qäğidälär eşlilär, IK IB-tän turı proporsional zurlıq:

 I_K = h_{21E} I_B = \beta\ I_B

h21E - ul h-parameterlärdän berse, tok köçäyätü koeffesiente. Anıñ zurlığı 100-gä yaqın. IE belän IK emittergä ağalar (NB! Tupaslandırğan sxemada tranzistor ike diod kebek sürätlängän, şul säbäple bu sxema buyınça IK kollektordan bazağa ağa almí. Läkin bu sxema tupaslandırğan, häm tok ağa, çönki real tranzistorda başqa prosesslar eşlilär).

Qullanış[үзгәртү]

Tranzistorlar keçe amplitudalı kerü signalın zurraq amlitudalı çığu signalina äyländerälär. Şundí eşneñ iñ ğädi mísalı: tirbänülär köçäytkeçe.

Klassifikasiä[үзгәртү]

p-n-p belän n-p-n tranzistorlar bipolár (Latínça bis - ike),çönki alarnıñ eşendä ike törle tok taratuçı – tişek häm elektron. Alardan tış unipolár (Latınça unus - ber) tranzistorlar qullanalar. Alarda tik elektronnar yä tik tişeklär eşlilär. Unipolar tranzistorlarnıñ qarşılığı alıp baruçı elektrod potensialı belän yörtelä. Unipolar tranzistorlar köçäytmilär, alar elektr açqıç role uynílar. Tranzistrolar fototranzistorlarğa, ikebazalı diodlarğa häm başqalarğa bülänälär.

Ädäbiät[үзгәртү]

  • Yäş Texnikneñ Ensiklopädik Süzlege, Mäskäw, 1980
  • Horowitz, Hill. Sxemotexnika nigezläre, Mäskäw, 1998